Из фоторезистора - Фотодиоды: устройство, характеристики и принципы работы
Фотодиод — это полупроводниковый диод, обратный ток которого зависит от освещенности. Как правило, в качестве фотодиода используются полупроводниковые диоды с PN-переходом. В фотодиодном режиме PN-переход смещен обратным напряжением, величина которого измеряется от единиц до сотни вольт, и, чем больше смещение, тем выше скорость носителей заряда Способы доставки.
Электронный учебно-методический комплекс по ТМ и О ЦВОСП
Содержание переместить в боковую панель скрыть. В основе работы фотодиода лежит фотовольтаический эффект разделение электронов и дырок в p- и n-областях при попадании на них потока фотонов, за счёт чего образуется заряд и электродвижущая сила — фотоЭДС [1]. Кроме p-n фотодиодов, существуют и p-i-n фотодиоды, в которых между легированными слоями p и n находится слой нелегированного полупроводника i, а также фотодиоды с барьерами Шоттки. Фотодиоды используются в научных и промышленных приборах для измерения интенсивности света , а также в качестве приемника данных, закодированных в инфракрасном луче в пультах дистанционного управления. Фотодиоды можно использовать в качестве составной части оптопары — оптрона , позволяющей передавать сигналы между цепями без гальванического их контакта.
Фото диод , работа которого основана на фотовольтаическом эффекте разделение электронов и дырок в p- и n-области, за счёт чего образуется заряд и ЭДС , называется солнечным элементом. Кроме p-n фотодиодов, существуют и p-i-n фотодиоды, в которых между слоями p и n находится слой нелегированного полупроводника i. При воздействии квантов излучения в базе происходит генерация свободных носителей, которые устремляются к границе p-n-перехода. Ширина базы n-область делается такой, чтобы дырки не успевали рекомбинировать до перехода в p-область.
Принцип действия, основные характеристики. Также i -слой называют обедненным слоем. На такой диод подается обратное смещение - U см , то есть напряжение плюсом к n -переходу, минусом к p -переходу. Сильное легирование крайних слоев делает их проводящими, и максимальное значение электрического тока создается в i -слое.